問題提出：
你設(shè)計(jì)或使用的電源是不是有遇到過效率低？溫升過高？甚至使用時(shí)莫名炸機(jī)等情況？而當(dāng)你費(fèi)了九牛二虎之力去確認(rèn)系統(tǒng)性能時(shí)卻不能準(zhǔn)確定位原因，那么你是否想到有一種可能：你所使用的功率分立器件為虛標(biāo)產(chǎn)品。近幾年，西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心（國家級(jí)CNAS實(shí)驗(yàn)室）接到許多MOSFET應(yīng)用廠家委托的失效分析申請(qǐng)，許多應(yīng)用廠家反饋選用某MOSFET廠商提供的產(chǎn)品并嚴(yán)格按照廠商提供的規(guī)格書使用，但應(yīng)用系統(tǒng)出廠檢測(cè)時(shí)出現(xiàn)輸出效率低，溫升高，甚至系統(tǒng)炸機(jī)等情況，經(jīng)西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心分析發(fā)現(xiàn)部分應(yīng)用廠家所使用的 MOSFET產(chǎn)品存在虛標(biāo)現(xiàn)象，如 MOSFET電流虛高，電壓虛高，導(dǎo)通電阻虛低，低成本封裝等，功率分立器件行業(yè)中這種虛標(biāo)亂象使許多應(yīng)用廠家苦不堪言。。。。。。
那么什么是虛標(biāo)亂象呢？ 在征得MOSFET應(yīng)用廠家（實(shí)驗(yàn)委托方）同意后，西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心將幾個(gè)典型的MOSFET虛標(biāo)案例分享給大家。
案例一：
在去年大概8月份的時(shí)候，有一個(gè)客戶一直批量生產(chǎn)的一款18W電源出現(xiàn)了老化中失效的現(xiàn)象，失效比率接近百分之一。由于該客戶該款產(chǎn)品產(chǎn)量特別大，因此客戶立即停線并委托我們實(shí)驗(yàn)室對(duì)該案子展開了分析。
經(jīng)過對(duì)該案子背景信息咨詢，我們了解到客戶的這款產(chǎn)品時(shí)一款已經(jīng)生產(chǎn)了兩年的老產(chǎn)品，采用了國內(nèi)某半導(dǎo)體企業(yè)的4N60的mosfet作為開關(guān)執(zhí)行器件?？蛻羰窃谧鯟OST DOWN之后換了供應(yīng)商，然后出現(xiàn)了這樣的問題，出問題之后客戶多次將所有供應(yīng)商集合在一起進(jìn)行失效分析，但都彼此扯皮，問題遲遲得不到解決，萬不得已才委托我們實(shí)驗(yàn)室展開分析。
客戶送樣良品電源板3pcs，失效板20PCS。得到樣品后公司首先對(duì)3pcs良品系統(tǒng)板進(jìn)行全面測(cè)試，未發(fā)現(xiàn)任何異常。僅僅是最差電壓下的電壓尖峰余量不足，最差的離標(biāo)稱電壓僅有10V左右的余量，因此懷疑客戶產(chǎn)線測(cè)試電源波動(dòng)較大，同時(shí)要求客戶進(jìn)行了驗(yàn)證，但客戶反饋其產(chǎn)線電壓波動(dòng)在合理范圍內(nèi)。進(jìn)一步對(duì)失效板上的所有失效器件進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)客戶器件失效現(xiàn)象均比較一致，在源極搭線附近有比較集中的彈坑裝瞬間擊穿熱熔點(diǎn)。于是要求客戶寄來該失效批次的良品MOSFET進(jìn)行測(cè)試，通過驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，該批MOSFET電壓嚴(yán)重不足，有采用500V器件冒充600V的可能性，因?yàn)樗鶞y(cè)送樣良品器件電電壓均為540-590之間，這樣的電壓值在保證器件廠的余量規(guī)格后，是500V器件的可能性極大，因此懷疑客戶供應(yīng)商采用500V器件打600V的標(biāo)來出售。
案件真相大白，于是將結(jié)果告知客戶。
案例二：
MOSFET低成本封裝現(xiàn)象在行業(yè)內(nèi)也較常見，2014年我實(shí)驗(yàn)室接到一單外部電源廠失效分析申請(qǐng)，據(jù)客戶反映，相同的電源系統(tǒng)使用供貨商提供的新批次MOSFET后，溫升實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)MOSFET塑封料表面溫度較之前批次高出約5~7℃，但換回舊批次后溫升試驗(yàn)結(jié)果正常，MOSFET廠商未提供任何新批次產(chǎn)品更改說明，經(jīng)西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心FA實(shí)驗(yàn)室后對(duì)該MOSFET新舊批次進(jìn)行線徑，錫層厚度，芯片大小測(cè)量均未發(fā)現(xiàn)明顯差異，進(jìn)一步推die后測(cè)量其框架厚度，發(fā)現(xiàn)兩者存在較大差異，其中新批次產(chǎn)品框架載片部分厚度較舊批次減小約31.5%，所以初步確認(rèn)溫升試驗(yàn)結(jié)果差異系為新批次產(chǎn)品框架載片部分減薄導(dǎo)致。
由以上幾個(gè)案例可見虛標(biāo)亂象危害極大，接下來，我們將從系統(tǒng)工作方案為大家分析虛標(biāo)亂象所帶來的巨大危害。
1. MOSFET電壓反應(yīng)在DATASHEET中就是BVDSS參數(shù)，也稱為漏-源擊穿電壓，表征MOSFET漏源極承受電壓的能力。在電源系統(tǒng)中，由于寄生電容、電感、反射電壓、電網(wǎng)波動(dòng)、電路振蕩等因素實(shí)際加載MOSFET漏源端的電壓遠(yuǎn)高于交流電輸入的整流電壓。因此，應(yīng)用端一般會(huì)對(duì)該參數(shù)降額選?。?0%-95%之間）。當(dāng)設(shè)計(jì)好一塊電源后，MOSFET電壓余量也是固定的，假若600V的MOSFET，開機(jī)降額我們?nèi)?5%就是570V，如果這時(shí)購買的600V的MOSFET實(shí)際電壓低于600V，存在電壓虛高現(xiàn)象，那么可能會(huì)出現(xiàn)大批量開機(jī)失效，給企業(yè)造成極大的經(jīng)濟(jì)損失及不良的影響。
2. MOSFET電流反應(yīng)在datasheet中就是ID參數(shù)，定義為產(chǎn)品可允許通過的最大連續(xù)電流。表征MOSFET漏源端可承受電流的能力，對(duì)于該參數(shù)的選擇也會(huì)進(jìn)行降額使用。在不考慮器件損耗引起溫升的前提下，通常在1/3～1/4標(biāo)稱電流范圍內(nèi)進(jìn)行使用。由于該參數(shù)即使存在虛標(biāo)，但一般幅度相對(duì)比較小，同時(shí)我們降額幅度又比較大，大多數(shù)情況不會(huì)馬上表現(xiàn)出來，但器件較長期的使用在較大電流情況下，產(chǎn)品性能退化較快，從而影響系統(tǒng)整機(jī)的壽命
3. MOSFET導(dǎo)通電阻反應(yīng)在DATASHEET中就是RDSON參數(shù)，定義為該產(chǎn)品導(dǎo)通后的溝道電阻，該參數(shù)與通態(tài)功率損耗，系統(tǒng)溫升，效率等密切相關(guān)，假設(shè)系統(tǒng)提供商使用了導(dǎo)通電阻虛低的MOSFET，系統(tǒng)端就會(huì)出現(xiàn)比方案設(shè)計(jì)較大的通態(tài)開關(guān)損耗，系統(tǒng)溫升也會(huì)較設(shè)計(jì)增大，如果是電源系統(tǒng)，其系統(tǒng)效率也會(huì)大大降低。
諸位看客，接下來你一定會(huì)問：那么這種亂象是如何產(chǎn)生的？作為應(yīng)用廠家如何有效判斷并避免使用虛標(biāo)MOSFET，西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心將做會(huì)進(jìn)行后續(xù)專題報(bào)道，敬請(qǐng)期待。。。。
先頂上去，。慢慢看，，
學(xué)習(xí)了，很受用！同意樓主的分析，我們是做開關(guān)電源適配器的小廠，也曾遇到樓主說的問題，做系統(tǒng)測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)溫升較高,最后，器件拆機(jī)后做了電性能測(cè)試，發(fā)現(xiàn)好多參數(shù)都嚴(yán)重偏離Typical value，尤其是RDSON，用國外的器件就沒有什么問題，哎，國內(nèi)MOS傷不起啊。
請(qǐng)問樓主，西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心是個(gè)什么機(jī)構(gòu)？？
追問：
貴實(shí)驗(yàn)室是否對(duì)外承接測(cè)試項(xiàng)目
樓上的，多謝關(guān)注！
西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心是西北一家功率器件性能測(cè)試，失效分析，可靠性試驗(yàn)，系統(tǒng)端應(yīng)用測(cè)試為一體的國家級(jí)CNAS實(shí)驗(yàn)室，目前，與諸多高校，研究所有合作項(xiàng)目，實(shí)驗(yàn)室除了進(jìn)行自己公司產(chǎn)品的評(píng)測(cè)外，也對(duì)外承接第三方測(cè)試申請(qǐng)，詳請(qǐng)關(guān)注：http://www.semipower.com.cn
mark一下，慢慢學(xué)習(xí) 樓主分析的太詳細(xì)了，技術(shù)精湛啊。學(xué)習(xí)了 大驚小怪，在中國的市場(chǎng)上，充斥著假冒偽劣，不管是原材料還是成品或半成品；不管是電子行業(yè)還是其他行業(yè)。據(jù)說，美國的軍購都有中國的假貨。哈哈，樓上說的沒錯(cuò)，目前，國內(nèi)的MOS市場(chǎng)還是有很多亂象，盡管如此，我們還是希望國貨當(dāng)自強(qiáng)！
對(duì)于MOS應(yīng)用廠家，用國外MOS,性能是好，但成本太高，用不起?。挥脟鴥?nèi)MOS，又有很多問題，不過整體上這幾年國內(nèi)自主品牌的MOS發(fā)展勢(shì)頭還是不錯(cuò)的。。。
很實(shí)用的帖子，期待后續(xù)。
大作必須點(diǎn)贊
樓主我只想知道我們做電源如果保證買到實(shí)在正品MOS？求解答
如何買到正品MOSFET?
如果你已經(jīng)買到產(chǎn)品了，可以對(duì)已買到的MOS進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，這個(gè)方法直接有力，結(jié)果不容質(zhì)疑，但需要專業(yè)的測(cè)試設(shè)備以及技術(shù)人員，測(cè)試驗(yàn)證方法如下：
電流虛高---可以用輸出曲線測(cè)試法或者最大雪崩電流測(cè)試法；
電壓虛高---可以用反壓曲線測(cè)試法；
導(dǎo)通阻抗虛低---可以用直流參數(shù)RDSON測(cè)試法;
低成本封裝---可以用熱阻測(cè)試法或者可靠性篩選法。
大家還有什么好的方法，拿出來討論一下。。。。
期待樓主詳細(xì)介紹一下電流虛高，電壓虛高，高通阻抗虛低，低成本封裝依靠測(cè)試評(píng)判的方法。以后我們也有自己做評(píng)測(cè)，讓虛標(biāo)MOS，假M(fèi)OS無處遁形。。。。哈哈。。。
樓上，你好，具體的評(píng)測(cè)方法我正在整理中，屆時(shí)重磅發(fā)布，敬請(qǐng)期待。。。 樓主的分析有道理，對(duì)于電流，電壓虛標(biāo)現(xiàn)象，我們可以通過測(cè)試鑒別。但對(duì)于低成本封裝，比如案例中提到的框架厚度偏薄，甚至工藝上金屬層的減薄，打線更改等這種隱形的，怎樣在器件使用前快速有效鑒別呢？期待樓主的分享…… 對(duì)于具體到產(chǎn)品內(nèi)部的打線，框架，錫層，背金等最有效，最直接的方法就是做DPA測(cè)量，詳細(xì)方法我正在整理中，敬請(qǐng)期待。。。樓主答復(fù)很及時(shí)，好人啊
怎么發(fā)現(xiàn)樓主的高度總我等可望不可企及啊。。。。。
能不能分析一下目前行業(yè)中虛標(biāo)，假貨這種亂象的根源是什么？？？？？？？？
樓上的，共勉,共勉
為什么會(huì)出現(xiàn)虛標(biāo)亂象呢,以下是我個(gè)人理解，與大家探討一下
1.1 設(shè)計(jì)缺陷，產(chǎn)品性能不能滿足或臨界滿足設(shè)計(jì)要求，但任然使用設(shè)計(jì)標(biāo)稱值提供客戶；
1.2 降低封裝成本，使用低性能的塑封料、框架、線材等使產(chǎn)品性能下降，但任然使用設(shè)計(jì)標(biāo)稱值提供客戶；
1.3 制程控制能力較弱，產(chǎn)品性能波動(dòng)較大，但未按照性能分檔或進(jìn)行帥選，而是整批按照設(shè)計(jì)標(biāo)稱值提供客戶；
1.4 業(yè)界對(duì)于標(biāo)稱電流，電壓制定沒有統(tǒng)一的制定規(guī)范，所以MOSFET廠家都各行其道，為了最大獲利，在產(chǎn)品命名時(shí)可能會(huì)存在虛標(biāo)的現(xiàn)象，大家有沒有注意到英飛凌的命名與眾不同，很重要的一個(gè)原因就是為了避免陷入虛標(biāo)的尷尬。
期待你的大作讓大家久等了。。。。。
經(jīng)過樓主加班加點(diǎn), 廢寢忘食、夜以繼日、不辭辛勞、精益求精終于大功有所修為，為大家奉上絕世秘籍：功率分立器件行業(yè)亂象大揭秘--第二章"如何有效判斷產(chǎn)品為虛標(biāo)產(chǎn)品"
2.1 MOSFET電流是否虛高判斷方法
可通過掃描MOSFET輸出特性曲線方法判定，具體方法及結(jié)果舉例如下。
2.2 MOSFET電壓是否虛高判斷方法
可通過測(cè)試BVDSS參數(shù)或MOSFET反壓曲線掃描方法判定，具體方法及結(jié)果舉例如下。
A. BVDSS參數(shù)測(cè)試法：
2.3 MOSFET 導(dǎo)通電阻是否虛低判斷方法
可通過測(cè)試RDSON(導(dǎo)通電阻)參數(shù)驗(yàn)證，具體方法及結(jié)果舉例如下。
2.4 MOSFET是否為低成本封裝產(chǎn)品判斷方法
可采用三種方法進(jìn)行驗(yàn)證，一種為非破壞性的熱阻測(cè)試，評(píng)估散熱框架優(yōu)劣可通過測(cè)試Rjc參數(shù)（結(jié)到散熱片熱阻），評(píng)估塑封料優(yōu)劣可通過測(cè)試Rjm參數(shù)（結(jié)到塑封料熱阻），第二種為破壞性的封裝解剖測(cè)試，可通過專業(yè)儀器測(cè)量框架薄厚，錫層厚度，線徑，塑封料成分分析等方法確認(rèn)產(chǎn)品封裝質(zhì)量水平，第三種則可采用更為有效的可靠性實(shí)驗(yàn)方法驗(yàn)證，三種具體方法及結(jié)果舉例如下：
大作又有更新，必須贊。 很專業(yè)的帖子，值得我們做電源的人學(xué)習(xí)。
樓主好人啊。。。
圖文并茂說的很詳細(xì)，不太理解你幾種方法中所說的熱阻Rjm測(cè)試法，這個(gè)好像沒聽說過哦，產(chǎn)品手冊(cè)上也沒有這個(gè)參數(shù)吧？
樓上童鞋你好，準(zhǔn)備下班了，看到你的問題，所以加班給你回復(fù)。。。。。
想必大家都熟悉MOS產(chǎn)品Rjc，Rja等熱阻參數(shù)，但Rjm到底是什么呢？關(guān)于這個(gè)參數(shù)在國內(nèi)外MOS產(chǎn)品datasheet上應(yīng)該都找不到的，因?yàn)檫@個(gè)參數(shù)是我們西安功率器件測(cè)試應(yīng)用中心測(cè)試實(shí)驗(yàn)室在一次系統(tǒng)測(cè)試中產(chǎn)生靈感自主開發(fā)的，具體故事后面再給大家說道，說道。
Rjm代表的是MOS工作時(shí)結(jié)到塑封料散熱能力，通過該參數(shù)可以得知系統(tǒng)工作時(shí)MOS產(chǎn)品通過塑封料散熱的能力強(qiáng)弱，Rjm是一個(gè)很實(shí)用的熱阻參數(shù)，先圖解分析一下，如下圖所示，無論插件，或者標(biāo)貼產(chǎn)品實(shí)際工作時(shí)結(jié)所產(chǎn)生的熱都會(huì)通過塑封料傳導(dǎo)散出，再到空氣中，尤其是TO220F產(chǎn)品主要是通過該通道散熱。一般的，如果塑封料分層，塑封料中環(huán)氧樹脂質(zhì)量較差，或者成分比例較小時(shí)，在相同的測(cè)試外圍條件下（加熱功率，熱沉冷卻能力，接觸壓強(qiáng)等）Rjm均會(huì)明顯的增大，所以通過該測(cè)試方法第一可以直接知道MOS產(chǎn)品在實(shí)際工作時(shí)通過塑封料散熱能力的強(qiáng)弱，其次可通過歷史比對(duì)反應(yīng)現(xiàn)在塑封料工藝制程控制的好壞。
以上個(gè)人對(duì)Rjm理解，希望與高手切磋。
樓主好人啊！強(qiáng)烈要求老板給你加工資
身邊的好多人確實(shí)不知道這個(gè)參數(shù)，樓主強(qiáng)人啊，自主發(fā)明！結(jié)合樓主的解釋，自己也上網(wǎng)查了一下MOS熱阻的相關(guān)內(nèi)容，已大概了解RJM參數(shù)了，會(huì)持續(xù)關(guān)注樓主。
樓主，貴公司熱阻測(cè)試用的什么設(shè)備？竟然還可以自主開發(fā)測(cè)試項(xiàng)目，真是高大上啊。。。。 gzy830515，你好，我們實(shí)驗(yàn)室用的是美國PHASE11熱阻測(cè)試儀，我們和這家公司是合作實(shí)驗(yàn)室，所以有一些功能是定制的哦，比如MOSFET SOA安全工作區(qū)，我記得Rjm這個(gè)概念好像在外文資料中有看到過（我試著找一下，如果找到了一定共享出來），正好我們系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室做板級(jí)溫升實(shí)驗(yàn)室，發(fā)現(xiàn)板子上MOS產(chǎn)品塑封料表面溫升較高，所以我們?cè)跓嶙铚y(cè)試設(shè)備上自行設(shè)計(jì)了RJM測(cè)試方法，該方法對(duì)TO220F產(chǎn)品熱阻測(cè)試很有意義，如果產(chǎn)線更換塑封料也可以通過該參數(shù)評(píng)測(cè)。 樓主，你們公司這么牛啊，招不招人啊 我們是求才若渴啊，歡迎青年才俊加入，詳情可關(guān)注：http://www.semipower.com.cn 很不錯(cuò)，已仔細(xì)閱讀 Rjm這個(gè)方法很好，可以對(duì)塑封料和框架進(jìn)行綜合判定。但是有一疑問：目前各廠家在Datasheet中Rjth值都是有所保留（比實(shí)際測(cè)試結(jié)果要大），如何用已測(cè)的值與廠家Datasheet中的值進(jìn)行有效的比較？ 樓上的提的這個(gè)問題確實(shí)存在，好多MOS廠家datasheet上熱阻值為最大值，這樣的話無法直接比較，只有廠商提供的熱阻值為typical value時(shí)可以直接比較。 這么詳細(xì)的帖子，收藏了慢慢學(xué)習(xí)，樓主辛苦了 這個(gè)帖子寫的真好呢，從里面學(xué)習(xí)到了很多，謝謝樓主的分享！多謝大家關(guān)注，本人主要從事電路設(shè)計(jì)測(cè)試工作，有什么問題，可以提出來大家一起討論。。。。We are 伐木累！
哦耶，We are 伐木累！想問一下樓主，有的Mosfet規(guī)格書上有電流隨殼溫變化的曲線，想問一下，這個(gè)是實(shí)測(cè)的嗎？
哈哈，看到大家對(duì)規(guī)格書中的一些規(guī)范，測(cè)試曲線挺感興趣，我們實(shí)驗(yàn)室專業(yè)做功率器件產(chǎn)品datasheet以及spice模型，可以和大家交流一下。。。
現(xiàn)在回答樓上朋友提出的問題，這個(gè)電流隨殼溫變化曲線不是實(shí)測(cè)的，業(yè)界通常做法為：先測(cè)試熱阻，然后通過電功率與熱阻關(guān)系換算得到，我手動(dòng)幫你推導(dǎo)了一下，供你參考，有問題我們可以再討論。
樓主威武
原來這個(gè)圖是這樣畫出來的，之前真以為是測(cè)試出來的，而且問有的FAE,他們也是一知半解。。。
那我想問一下，一般datasheet中都會(huì)給出TC=100℃時(shí)的ID值，是不是也是這樣算出來的啊？
lophyer童鞋，你說的沒錯(cuò)哦，這個(gè)ID也是按照相同方法算出的，而且這個(gè)ID值和TC=25℃時(shí)的ID有確定的關(guān)系，具體為：
ID(TC=100℃)=ID(TC=25℃)*0.632
希望可以幫到你。
樓主的公司應(yīng)該就是南方X源吧，這個(gè)實(shí)驗(yàn)室是很牛X，聽業(yè)內(nèi)人說過
是的，混這個(gè)壇子上的都是同僚了。。。。
大家以后可以多多交流。。。。
做實(shí)驗(yàn)室很牛，已經(jīng)不是我們基層銷售的層次了呵呵，樓上的客氣了，有什么問題，我們可以一起討論。。。。
你們直面的是第一線客戶，對(duì)市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)把控非常有優(yōu)勢(shì)。。。。
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