動翻譯，供參考

FRAM芯片擴展耐力在低功耗應(yīng)用

雖然EEPROM和閃存通常都被用于非易失性存儲器(NVM)的最佳選擇，在大多數(shù)應(yīng)用中，鐵電RAM(FRAM)提供了許多低功耗設(shè)計在能量收集應(yīng)用，例如無線傳感器節(jié)點，智能電表明顯的優(yōu)勢，和其他數(shù)據(jù)記錄的設(shè)計。憑借其擴展的寫周期耐力和數(shù)據(jù)保留時間，F(xiàn)RAM技術(shù)可幫助設(shè)計人員滿足使用的FRAM芯片和基于FRAM微控制器的制造商，包括Cypress半導體，富士通半導體制造商ROHM Semiconductor要求十年之久，低功耗的NVM操作和德州儀器。

常規(guī)NVMS，諸如閃存和EEPROM，在在浮動柵，需要一個電荷泵，以提高電壓以需要通過柵極氧化物來強制載波的水平電荷載體的形式存儲數(shù)據(jù)。其結(jié)果，沿著與長寫延遲和高功率消耗固有這些設(shè)備中，它們的高電壓寫入操作最終可以穿出細胞 - 有時在少至萬個寫周期。

FRAM優(yōu)勢

與此相反，鐵電RAM(FRAM)存儲由鐵電材料鋯鈦酸鉛的偏振的裝置，或PZT(Pb(上ZrTi)O 3)，它被置于兩個電極類似的電容器的結(jié)構(gòu)之間的膜。與DRAM中，在FRAM中陣列的每一位被讀出和單獨寫入，但在DRAM的使用的晶體管和電容器來存儲比特，F(xiàn)RAM采用在晶體結(jié)構(gòu)中的偶極移引起的施加電場的相應(yīng)位跨電極(圖1)。因為該偏振仍然是去掉電場之后，F(xiàn)RAM數(shù)據(jù)仍然存在無限期即使沒有可用功率 - 用于設(shè)計搭載不確定環(huán)境來源的重要能力。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠