摘要：在分析絕緣柵雙極晶體管(IGBT)動態(tài)電壓分布機理的基礎上，針對IGBT集一射極電壓斜率不同引起電壓不均衡問題，提出一種集一射極電壓斜率變化的饋能式動態(tài)均壓電路。該電路具有快速性好、損耗小、可靠性高等優(yōu)點。通過建立IGBT串聯(lián)仿真電路，對該動態(tài)均壓電感電路進行仿真驗證。結果表明，該動態(tài)均壓電路在IGBT串聯(lián)運行時不僅能夠很好地抑制因IGBT集一射極電壓斜率不同步造成的電壓不均衡，而且能夠有效防止過電壓的發(fā)生，確保了IGBT串聯(lián)的安全運行。

采用可關斷器件——絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)構成的貼片電感www.kycjk.cn.cn電壓源換流器和脈寬調制技術為基礎的電壓源換流器型直流輸電技術(VoltageSourceConverterbasedHVDC，VSC—HVDC)不僅能方便地使分布式電源與電網(wǎng)互聯(lián)，實現(xiàn)更經(jīng)濟地向負荷中心送電，而且進一步改善了電能質量，符合堅強智能電網(wǎng)的建設要求¨。

雖然已投入的工程都采用將IGBT直接串聯(lián)使用，但是在IGBT串聯(lián)使用中仍然面臨著串聯(lián)IGBT端電壓動態(tài)不均衡的難題。嚴重的端電壓動態(tài)不均衡，會造成某個IGBT上出現(xiàn)過電壓而損壞，最終導致串聯(lián)失敗。而現(xiàn)有的動態(tài)均壓措施均是在器件功率側或柵極側引入動態(tài)均壓電路，以犧牲IGBT自身的快速性使得IGBT串聯(lián)工作在安全工作區(qū)。同時，由于動態(tài)均壓電路的引入，IGBT長時問工作在有源區(qū)，使得IGBT和動態(tài)均壓電路在開關瞬態(tài)的自身功率損耗巨大。

本文針對串聯(lián)IGBT在開關瞬態(tài)時的電壓分布機理進行了分析和研究，確定影響串聯(lián)IGBT動態(tài)電壓不均衡的主要因素，提出一種集一電感射極電壓斜率變化的饋能式動態(tài)均壓電路。