近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為了在高性能電信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中實(shí)時(shí)地對(duì)處理器和存儲(chǔ)器的功耗進(jìn)行監(jiān)控，推出兩個(gè)新的 60A VRPower?智能功率級(jí) ---SiC645 和 SiC645A。
功率級(jí)集成了電流和溫度監(jiān)測(cè)器，可用于多相 DC/DC 系統(tǒng)。
Vishay Siliconix SiC645 和 SiC645A 把功率 MOSFET、先進(jìn)的驅(qū)動(dòng) IC 和 1 個(gè)啟動(dòng) FET 組合在熱增強(qiáng)的薄外形 5mm x 5mm x 0.66mm PowerPAK? MLP55-32L/QFN 封裝里，有效簡化設(shè)計(jì)，精度高于類似的標(biāo)準(zhǔn) DrMOS 產(chǎn)品，同時(shí)占位面積比相近的對(duì)標(biāo)器件小 16%。
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使用電感器 DCR 檢測(cè)來監(jiān)控功耗，需要使用類似熱敏電阻這樣的外部元器件來進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
與前面這種方案不同的是，SiC645 和 SiC645A 利用低邊 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 RDS(ON)進(jìn)行檢測(cè)，分別用 5mV/A 和 8mV/C 信號(hào)準(zhǔn)確地報(bào)出電流(IMON)和溫度(TMON)。
這種檢流方法在很寬的負(fù)載范圍內(nèi)都是準(zhǔn)確的，而且在內(nèi)部進(jìn)行溫度補(bǔ)償，省掉了外部電路，從而簡化設(shè)計(jì)。
另外，使用這些功率級(jí)就能去掉檢流引線，同時(shí)由于沒有了噪聲和外部濾波，系統(tǒng)響應(yīng)速度很快。
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功率級(jí)的精度滿足 Intel 嚴(yán)格的 VR13 和 VR13.x 電流監(jiān)測(cè)精度要求，能夠更好地發(fā)揮服務(wù)器 CPU 的加速功能，在不增加成本的情況下為數(shù)據(jù)中心客戶提供更高的性能，優(yōu)點(diǎn)十分突出。
專用的低邊 FET 控制 pin 腳使系統(tǒng)在輕載條件下也具有很好的效率。
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器件的輸入范圍從 4.5V 到 18V，適用于為服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和云計(jì)算的微處理器和存儲(chǔ)器供電的高頻、高效 VRM 和 VRD，高性能圖形卡和游戲機(jī)里的 GPU，以及通用多相負(fù)載點(diǎn)(POL)DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
SiC645 和 SiC645A 的封裝能夠?qū)崿F(xiàn)雙面冷卻，低封裝寄生電阻和電感使開關(guān)頻率能夠達(dá)到 2MHz。
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器件符合 RoHS，無鹵素，故障保護(hù)功能包括高邊 FET 短路和過流保護(hù)、過熱保護(hù)、欠壓鎖定(UVLO)，有開漏故障報(bào)告輸出。
SiC645 和 SiC645A 分別支持 5V 和 3.3V PWM 三電平輸入，兼容 Intersil 的 ISL68/69xx 和 ISL958xx 數(shù)字多相控制器。
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智能功率級(jí)現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十周。
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