好長時間沒做電源了，最近換了個工作，一個5V10A的電源，紋波如圖，我怎么抑制都沒有很好的壓下尖刺；
1. 輸出換電容， PI型濾波 ，最后加了個T12的共模綠環(huán)，輸出并接PF nF級別的電容，更換Y1電容， 稍微有效果的就是 T12的綠環(huán)可以壓一些峰值雜波下來。
2. MOS的DS 并接56--100pF/1KV的電容， 可以有些效果， 變壓器外包屏蔽可以有些效果，RCD吸收調(diào)整，輸出二極管RC調(diào)整也進行了，沒很好的效果。
3. 最后修改MOS的驅(qū)動電阻，加大到150R后 MOS的上升下降沿都有400nS---800nS，效果明顯，紋波可以下降。
4.最后就差磁珠沒用物料，沒有試驗。
請問各位大俠，如何看待此尖刺。 IC是 NE1102E MOS 8N60 肖特基 30A60V的， 測試了DS波型和紋波對比，干擾同步，是在漏感峰值那個地方。
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各位大俠，問題有了進展。 NE1102E的介紹說是它的驅(qū)動能力很強，和二極管并接的電阻可以用到150R，我放的是100R，另外一個是4.7R，但是最主要的一個改動是我把MOS的GS的放電電阻由10K 1206 的改為了5.1K 1206的，這一個改動效果很明顯，紋波在低壓100V輸入的時候是70mV-80mV, 在高壓220V的時候是90mV-105mV，基本可以控制在100mV以內(nèi), 不知道大家對此調(diào)整做何看法？ 用5.1K電阻應(yīng)該不會有什么問題吧？
如果什么都不改，NE1102E直接用OB2273換上去，紋波會減小30mV 的樣子，問題何在？ 但是我不用2273，備料用的是1102.
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可能是變壓器漏感太大造成的
試試在輸出整流管、開關(guān)管管腳加磁珠看看效果或減少變壓器的漏感尖刺是你的示波器探頭上的地線被干擾了不？
我最近在做一個電源，也碰到類似的問題，IC是NCP1200D6，MOS是4N90，由于是多路輸出，變壓器用的大了點是EE28的。
DS的波形感覺是挺好的，肖特基兩端的波形也還行，就是輸出紋波尖峰特別高。和開關(guān)頻率同步，想不明白，變壓器初級電感量1.9mh，漏感32UH。
肖特基改為快恢復管看看紋波尖峰是否有差異。
驅(qū)動電阻加大應(yīng)該是有點效果的。
各位大俠，問題有了進展。 NE1102E的介紹說是它的驅(qū)動能力很強，和二極管并接的電阻可以用到150R，我放的是100R，另外一個是4.7R，但是最主要的一個改動是我把MOS的GS的放電電阻由10K 1206 的改為了5.1K 1206的，這一個改動效果很明顯，紋波在低壓100V輸入的時候是70mV-80mV, 在高壓220V的時候是90mV-105mV，基本可以控制在100mV以內(nèi), 不知道大家對此調(diào)整做何看法？ 用5.1K電阻應(yīng)該不會有什么問題吧？
如果什么都不改，NE1102E直接用OB2273換上去，紋波會減小30mV 的樣子，問題何在？ 但是我不用2273，備料用的是1102.
放電電阻到5.1k沒問題的，相當于開啟變慢一點點，關(guān)斷變快一點點。對電路性能影響不大。
二極管并聯(lián)的那個電阻阻值影響大不？
二極管并聯(lián)的那個電阻阻值影響也很大，我以前用的是6.8R+（10R+1N4148）+10K對地，后面改為4.7R+（100R+1N4148）+5.1K對地，驅(qū)動開啟時間上升到15V是600nS的樣子，上升到5V左右就是200nS的樣子，關(guān)斷下降時間那就很快的，200nS左右吧 搞定就好，大概的解釋的，開啟和關(guān)斷時間對應(yīng)的是dI/dt的參數(shù)，同時也對應(yīng)的管子的應(yīng)力，所以，硬開關(guān)毛刺會比軟開關(guān)的LLC中的毛刺多很多。解決就好。
NE1102是比較老的芯片，NE1102的升級版本也出來很長時間了，都在市場上銷售。
現(xiàn)在產(chǎn)品跟新?lián)Q代的好快的呵呵，如果擔心更新?lián)Q代太快，就用終極版本PF6116，這顆很難有其他芯片能超越；
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